Silicon Carbide SiC

Lýsing

Silicon Carbide Wafer SiC, er afar hart, tilbúið kristallað efnasamband úr sílikoni og kolefni með MOCVD aðferð, og sýnireinstakt breitt bandbil og aðrir hagstæðir eiginleikar lágs varmaþenslustuðulls, hærra rekstrarhitastigs, góð hitaleiðni, minni rofa- og leiðnartap, orkunýtnari, hár varmaleiðni og sterkari rafsviðsbrotsstyrkur, auk einbeittari strauma. ástandi.Silicon Carbide SiC hjá Western Minmetals (SC) Corporation er hægt að útvega í stærðinni 2″ 3' 4“ og 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) þvermál, með n-gerð, hálfeinangrandi eða dummy skífu fyrir iðnaðar og rannsóknarstofu umsókn. Sérhver sérsniðin forskrift er fyrir hina fullkomnu lausn fyrir viðskiptavini okkar um allan heim.

Umsóknir

Hágæða 4H/6H kísilkarbíð SiC oblát er fullkomin til framleiðslu á mörgum háþróaðri hraðvirkum, háhita og háspennu rafeindatækjum eins og Schottky díóðum og SBD, aflmiklum MOSFET og JFET o.fl. einnig eftirsóknarvert efni í rannsóknum og þróun tvískauta smára og tyristora með einangruðum hliðum.Sem framúrskarandi ný kynslóð hálfleiðandi efni þjónar Silicon Carbide SiC oblátur einnig sem skilvirkur hitadreifari í aflmiklum LED íhlutum, eða sem stöðugt og vinsælt undirlag fyrir vaxandi GaN lag í þágu framtíðar markvissrar vísindarannsókna.

Fyrirspurn núna

Upplýsingar

Merki

Tæknilegar upplýsingar

Silicon Carbide SiC

Silicon Carbide SiChjá Western Minmetals (SC) Corporation er hægt að útvega í stærðinni 2″ 3' 4“ og 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) þvermál, með n-gerð, hálfeinangrandi eða dummy skífu fyrir iðnaðar- og rannsóknarstofunotkun . Sérhver sérsniðin forskrift er fyrir hina fullkomnu lausn fyrir viðskiptavini okkar um allan heim.

Línuleg formúla	SiC
Mólþyngd	40,1
Kristall uppbygging	Wurtzite
Útlit	Solid
Bræðslumark	3103±40K
Suðumark	N/A
Þéttleiki við 300K	3,21 g/cm³
Orkubil	(3.00-3.23) eV
Innri viðnám	>1E5 Ω-cm
CAS númer	409-21-2
EB númer	206-991-8

Nei.	Hlutir	Staðlað forskrift
1	SiC Stærð	2"	3"	4"	6"
2	Þvermál mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Vaxtaraðferð	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Tegund leiðni	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Viðnám Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Stefna	0°±0,5°;4,0° í átt að <1120>
7	Þykkt μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Aðal íbúð staðsetning	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Primary Flat Lengd mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Staðsetning annars íbúðar	Kísill snýr upp: 90°, réttsælis frá grunnsléttu ±5,0°
11	Secondary Flat Lengd mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm hámark	15	15	15	15
13	Bogi μm max	40	40	40	40
14	Undið μm hámark	60	60	60	60
15	Útilokun brún mm max	1	2	3	3
16	Örpípuþéttleiki cm-2	<5, iðnaðar;<15, rannsóknarstofa;<50, dúlla
17	Skipting cm-2	<3000, iðnaðar;<20000, rannsóknarstofa;<500000, dúlla
18	Yfirborðsgrófleiki nm hámark	1 (fágað), 0,5 (CMP)
19	Sprungur	Engin, fyrir iðnaðargráðu
20	Sexhyrndar plötur	Engin, fyrir iðnaðargráðu
21	Rispur	≤3 mm, heildarlengd minni en þvermál undirlags
22	Edge Chips	Engin, fyrir iðnaðargráðu
23	Pökkun	Einföldu ílát innsiglað í samsettum álpoka.

Kísilkarbíð SiC 4H/6Hhágæða obláta er fullkomin til framleiðslu á mörgum háþróaðri, hraðvirkum, háhita- og háspennu rafeindatækjum eins og Schottky díóðum og SBD, aflmiklum MOSFET og JFET o.s.frv. Það er líka eftirsóknarvert efni í rannsóknir og þróun tvískauta smára og tyristora með einangruðum hliðum.Sem framúrskarandi ný kynslóð hálfleiðandi efni þjónar Silicon Carbide SiC oblátur einnig sem skilvirkur hitadreifari í aflmiklum LED íhlutum, eða sem stöðugt og vinsælt undirlag fyrir vaxandi GaN lag í þágu framtíðar markvissrar vísindarannsókna.