Indíumarseníð InAs

Lýsing

Indíumarseníð InAs kristal er samsettur hálfleiðari úr hópi III-V sem er myndaður af að minnsta kosti 6N 7N hreinu indíum og arsen frumefni og ræktaður einkristalli með VGF eða Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) ferli, grátt litarútlit, kúbikkristallar með sinkblönduðu uppbyggingu , bræðslumark 942 °C.Indíumarseníð bandbil er bein umskipti eins og gallíumarseníð, og bannaða bandbreiddin er 0,45eV (300K).InAs kristal hefur mikla einsleitni rafmagnsbreyta, stöðuga grind, mikla rafeindahreyfanleika og lágan gallaþéttleika.Sívalur InAs kristal ræktaður með VGF eða LEC er hægt að sneiða og búa til oblátu eins og skera, æta, slípa eða epi-tilbúinn fyrir MBE eða MOCVD epitaxial vöxt.

Umsóknir

Indíum arseníð kristalskífa er frábært undirlag til að búa til Hall tæki og segulsviðsskynjara vegna æðsta hallarhreyfanleika en þröngt orkubandsbil, tilvalið efni fyrir smíði innrauðra skynjara með bylgjulengdarsviðinu 1–3,8 µm sem notað er í notkun með meiri krafti. við stofuhita, sem og miðbylgjulengdar innrauða ofurgrindar leysir, mið-innrauða LED tæki tilbúningur fyrir 2-14 μm bylgjulengdarsvið sitt.Ennfremur er InAs kjörið hvarfefni til að styðja enn frekar við ólíka InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eða AlGaSb ofurgrindarbyggingu o.s.frv.

Fyrirspurn núna

Upplýsingar

Merki

Tæknilegar upplýsingar

Indíum arseníð

InAs

Indíum arseníð kristalskífaer frábært undirlag til að búa til Hall tæki og segulsviðsskynjara fyrir æðsta hallhreyfanleika en þröngt orkubandsbil, tilvalið efni fyrir smíði innrauðra skynjara með bylgjulengdarsviðinu 1–3,8 µm sem notað er í notkun með meiri krafti við stofuhita, auk miðbylgjulengdar innrauðra ofurgrinda leysira, miðra innrauðra LED tækja tilbúningur fyrir 2-14 μm bylgjulengdarsvið sitt.Ennfremur er InAs kjörið hvarfefni til að styðja enn frekar við ólíka InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eða AlGaSb ofurgrindarbyggingu o.s.frv.

Nei.	Hlutir	Staðlað forskrift
1	Stærð	2"	3"	4"
2	Þvermál mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Vaxtaraðferð	LEC	LEC	LEC
4	Leiðni	P-gerð/Zn-dópuð, N-gerð/S-dópuð, Ólyfin
5	Stefna	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Þykkt μm	500±25	600±25	800±25
7	Stefna Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	Auðkenni Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Hreyfanleiki cm2/Vs	60-300, ≥2000 eða eftir þörfum
10	Burðarstyrkur cm-3	(3-80)E17 eða ≤5E16
11	TTV μm hámark	10	10	10
12	Bogi μm max	10	10	10
13	Undið μm hámark	15	15	15
14	Skipting Þéttleiki cm-2 max	1000	2000	5000
15	Yfirborðsfrágangur	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pökkun	Einstakt oblátuílát innsiglað í álpoka.

Línuleg formúla	InAs
Mólþyngd	189,74
Kristall uppbygging	Sinkblanda
Útlit	Grátt kristallað fast efni
Bræðslumark	(936-942)°C
Suðumark	N/A
Þéttleiki við 300K	5,67 g/cm³
Orkubil	0,354 eV
Innri viðnám	0,16 Ω-cm
CAS númer	1303-11-3
EB númer	215-115-3

Indíumarseníð InAshjá Western Minmetals (SC) Corporation er hægt að fá sem fjölkristallaða klump eða einkristalla eins og skorið, etsað, fáður eða epi-tilbúnar oblátur í stærðinni 2" 3" og 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) þvermál, og p-gerð, n-gerð eða ódópuð leiðni og <111> eða <100> stefnu.Sérsniðna forskriftin er fyrir hina fullkomnu lausn fyrir viðskiptavini okkar um allan heim.