Indíumfosfíð InP

Lýsing

Indíumfosfíð InP,CAS nr.22398-80-7, bræðslumark 1600°C, tvíundir samsettur hálfleiðari af III-V fjölskyldu, andlitsmiðjaðri kúbískri „zinkblöndu“ kristalbyggingu, eins og flestir III-V hálfleiðararnir, er smíðaður úr 6N 7N mjög hreint indíum og fosfór frumefni, og ræktað í einn kristal með LEC eða VGF tækni.Indíum fosfíð kristal er dópaður til að vera n-gerð, p-gerð eða hálfeinangrandi leiðni fyrir frekari plötusmíði allt að 6″ (150 mm) þvermál, sem er með beinu bandabilinu, yfirburða miklum hreyfanleika rafeinda og gata og skilvirka hitauppstreymi. leiðni.Indium Phosphide InP Wafer prime eða prófunarflokkur hjá Western Minmetals (SC) Corporation er hægt að bjóða með p-gerð, n-gerð og hálfeinangrandi leiðni í stærðum 2" 3" 4" og 6" (allt að 150 mm) þvermál, stefnumörkun <111> eða <100> og þykkt 350-625um með yfirborðsáferð á ætið og fágað eða Epi-tilbúið ferli.Á meðan er Indium Phosphide Single Crystal hleifur 2-6″ fáanlegur sé þess óskað.Fjölkristallað indíumfosfíð InP eða fjölkristallað InP hleif í stærð D(60-75) x Lengd (180-400) mm 2,5-6,0 kg með styrkleika burðarefnis sem er minni en 6E15 eða 6E15-3E16 er einnig fáanlegur.Sérhver sérsniðin forskrift í boði sé þess óskað til að ná fullkominni lausn.

Umsóknir

Indium Phosphide InP oblátur er mikið notaður til framleiðslu á sjónrænum íhlutum, aflmiklum og hátíðni rafeindatækjum, sem undirlag fyrir inníum-gallíum-arseníð (InGaAs) byggt opto-rafræn tæki.Indíumfosfíð er einnig í smíðum fyrir afar efnilega ljósgjafa í ljósleiðarasamskiptum, örbylgjuaflsbúnaði, örbylgjumagnara og hlið FET tæki, háhraða mótara og ljósskynjara, og gervihnattaleiðsögu og svo framvegis.

Fyrirspurn núna

Upplýsingar

Merki

Tæknilegar upplýsingar

Indíumfosfíð InP

Indíum fosfíð einn kristalHægt er að bjóða oblátu (InP kristalhleif eða Wafer) hjá Western Minmetals (SC) Corporation með p-gerð, n-gerð og hálfeinangrandi leiðni í stærðum 2" 3" 4" og 6" (allt að 150 mm) þvermál, stefnumörkun <111> eða <100> og þykkt 350-625um með yfirborðsáferð á ætið og fágað eða Epi-tilbúið ferli.

Indíum fosfíð Fjölkristallaðeða Multi-Crystal hleifur (InP fjölhúð) í stærð D(60-75) x L(180-400) mm 2,5-6,0 kg með styrkleika burðarefnis sem er minni en 6E15 eða 6E15-3E16 er fáanlegur.Sérhver sérsniðin forskrift í boði sé þess óskað til að ná fullkominni lausn.

Nei.	Hlutir	Staðlað forskrift
1	Indíum fosfíð einn kristal	2"	3"	4"
2	Þvermál mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Vaxtaraðferð	VGF	VGF	VGF
4	Leiðni	P/Zn-doped, N/(S-doped eða ó-doped), hálfeinangrandi
5	Stefna	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Þykkt μm	350±25	600±25	600±25
7	Stefna Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Auðkenni Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Hreyfanleiki cm2/Vs	50-70, >2000, (1,5-4)E3
10	Burðarstyrkur cm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm hámark	10	10	10
12	Bogi μm max	10	10	10
13	Undið μm hámark	15	15	15
14	Skipting Þéttleiki cm-2 max	500	1000	2000
15	Yfirborðsfrágangur	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pökkun	Einföldu ílát innsiglað í samsettum álpoka.

Nei.	Hlutir	Staðlað forskrift
1	Indíum fosfíð hleifur	Fjölkristallað eða fjölkristallað hleif
2	Kristall stærð	D(60-75) x L(180-400) mm
3	Þyngd á kristalhleif	2,5-6,0 kg
4	Hreyfanleiki	≥3500 cm²/Á MÓTI
5	Flutningsstyrkur	≤6E15, eða 6E15-3E16 cm^-3
6	Pökkun	Hver InP kristalhleifur er í lokuðum plastpoka, 2-3 hleifar í einni öskju.

Línuleg formúla	InP
Mólþyngd	145,79
Kristall uppbygging	Sinkblanda
Útlit	Kristallað
Bræðslumark	1062°C
Suðumark	N/A
Þéttleiki við 300K	4,81 g/cm³
Orkubil	1.344 eV
Innri viðnám	8,6E7 Ω-cm
CAS númer	22398-80-7
EB númer	244-959-5

Indíumfosfíð InP Waferer mikið notað til framleiðslu á sjónrænum hlutum, rafeindabúnaði með miklum krafti og hátíðni, sem undirlag fyrir inníum-gallíum-arseníð (InGaAs) byggt opto-rafræn tæki.Indíumfosfíð er einnig í smíðum fyrir afar efnilega ljósgjafa í ljósleiðarasamskiptum, örbylgjuaflsbúnaði, örbylgjumagnara og hlið FET tæki, háhraða mótara og ljósskynjara, og gervihnattaleiðsögu og svo framvegis.